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型号: 2SC2893
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 1 页 / 18 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
2SC2893
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI 2SC2893
是专为
在UHF放大器采用高达400 MHz 。
包装风格.280 4L螺柱
A
45°
C
产品特点:
P
OUT
= 10.7 W典型频率400 MHz
Omnigold ™
金属化系统
B
E
B
D
C
E
J
E
I
最大额定值
I
C
V
CB
V
CE
V
EB
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
1.5 A
55 V
32 V
3.0 V
22瓦@ T
C
= 25 °C
-65℃ 〜+ 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
8.0 ° C / W
ð IM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
F
G
H
K
M IN IM ü M
于建华(E S) / M M
# 8 -3 2 U N c个
M A X IM ü米
于建华(E S) / M M
1 .0 1 0 / 2 5 .6 5
.2 2 0 / 5 .5 9
.2 7 0 / 6 .8 6
.0 0 3 / 0 .0 8
.1 1 7 / 2 .9 7
.5 7 2 / 1 4 .5 3
.1 3 0 / 3 .3 0
.2 4 5 / 6 .2 2
.6 4 0 / 1 6 .2 6
.1 7 5 / 4 .4 5
.2 7 5 / 6 .9 9
1 .0 5 5 / 2 6 .8 0
.2 3 0 /5 .8 4
.2 8 5 / 7 .2 4
.0 0 7 / 0 .1 8
.1 3 7 / 3 .4 8
.2 5 5 / 6 .4 8
.2 1 7 / 5 .5 1
.2 8 5 / 7 .2 4
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
I
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
P
OUT
η
c
T
C
= 25 °C
测试条件
I
C
= 60毫安
I
C
= 8.0毫安
V
CE
= 2.0 V
V
CB
= 30 V
V
CE
= 10 V
V
CB
= 28 V
V
CE
= 28 V
P
IN
= 0.63 W
I
C
= 400毫安
I
C
= 400毫安
F = 1.0 MHz的
F = 400 MHz的
V
BE
= 0 V
最小典型最大
32
55
500
500
20
10
7.9
55
10.7
65
200
15
单位
V
V
µA
µA
---
pF
W
%
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 0
1/1