2N6199
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI 2N6199
是专为VHF
C类功率放大器的应用
高达250兆赫。
封装形式0.380" 4L螺柱
.112x45°
A
B
C
E
ØC
产品特点：
•
P
G
= 10 dB（典型） 25 W / 175 MHz的
• ∞
负载
VSWR
在额定条件
•
Omnigold ™
金属化系统
D
E
B
H
I
J
＃ 8-32 UNC -2A
F
E
G
最大额定值
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
4.0 A
65 V
40瓦@ T
C
= 25 °C
-55°C 〜+ 200 ℃，
-55 ° C至+150°C
4.4 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.980 / 24.89
.370 / 9.40
.004 / 0.10
.320 / 8.13
.100 / 2.54
.450 / 11.43
.090 / 2.29
.155 / 3.94
.230 / 5.84
.385 / 9.78
.007 / 0.18
.330 / 8.38
.130 / 3.30
.490 / 12.45
.100 / 2.54
.175 / 4.45
.750 / 19.05
订货编号： ASI10864
特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
P
G
η
c
T
C
= 25 °C
测试条件
I
C
= 200毫安
I
C
= 200毫安
I
E
= 10毫安
V
CB
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CE
= 28 V
P
OUT
= 25 W
I
C
= 200毫安
F = 1.0 MHz的
F = 175 MHz的
最小典型最大
65
35
4.0
2.0
10
50
8.5
50
10
60
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
•
北好莱坞， CA 91605
•
(818) 982-1200
•
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Rev.A的
1/1
ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
