2N6166 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N6166
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	1 页 / 18 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

2N6166

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI 2N6166

被设计成

工作在集电极调制的VHF

功率放大器的应用多达200个

兆赫。

包装样式0.500 4L FLG

.112x45°

，完全R

Ø.125 NOM 。

产品特点：

• η

= 60 ％以上。 @ 100瓦/ 150兆赫

•

= 6.0分贝分钟。 @ 100瓦/ 150兆赫

•

Omnigold ™

金属化系统

I J

最大额定值

CBO

EBO

DISS

英镑

9.0 A

65 V

4.0 V

117 W¯¯ @ T

= 25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

1.5 ° C / W

暗淡

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

.220 / 5.59

.125 / 3.18

.245 / 6.22

.720 / 18.28

.125 / 3.18

.970 / 24.64

.495 / 12.57

.003 / 0.08

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.230 / 5.84

.255 / 6.48

.7.30 / 18.54

.980 / 24.89

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.110 / 2.79

.175 / 4.45

.280 / 7.11

1.050 / 26.67

订货编号： ASI10790

特征

符号

CES

首席执行官

EBO

CES

CBO

= 28 V

= 25 °C

NONETEST

条件

= 200毫安

= 10毫安

= 30 V

= 5.0 V

= 28 V

OUT

= 100 W

= 500毫安

F = 1.0 MHz的

最小典型最大

4.0

5.0

130

6.0

单位

---

F = 150 MHz的

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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