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    2N5109 参数 Datasheet PDF下载

    2N5109图片预览
    型号： 2N5109
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
    文件页数/大小： 1 页 / 32 K
    品牌： ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
       
    2N5109
    NPN硅高频三极管
    封装形式TO- 39
    描述：
    该
    2N5109
    是一个高频
    晶体管通用
    放大器应用。
    最大额定值
    I
    C
    V
    CE
    P
    DISS
    400毫安
    20 V
    为1.0W @ T
    A
    = 25 C
    O
    2.5瓦@ T
    C
    = 75 C
    O
    1 - 发射极
    2 - 基
    3 - 集电极
    特征
    符号
    BV
    首席执行官
    BV
    CER
    BV
    CBO
    I
    CEX
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    t
    C
    OB
    N
    F
    G
    ve
    P
    in
    I
    C
    = 5.0毫安
    I
    C
    = 5.0毫安
    I
    C
    = 100
    µA
    V
    CE
    = 35 V
    V
    CE
    = 15 V
    V
    CE
    = 15 V
    V
    EB
    = 3.0 V
    V
    CE
    = 15 V
    V
    CE
    = 5.0 V
    I
    C
    = 100毫安
    V
    CE
    = 15 V
    V
    CB
    = 15 V
    T
    A
    = 25 C
    O
    无
    测试条件
    R
    BE
    = 10Ω
    V
    BE
    = -1.50 V
    V
    BE
    = -1.50 V T，
    C
    = 150 C
    O
    最低
    20
    40
    40
    典型
    最大
    单位
    V
    V
    V
    5.0
    20
    100
    mA
    µ
    A
    µ
    A
    ---
    V
    兆赫
    I
    C
    = 50毫安
    I
    C
    = 360毫安
    I
    B
    = 10毫安
    I
    C
    = 50毫安
    F = 200 MHz的
    F = 1.0 MHz的
    40
    5.0
    220
    0.5
    1200
    3.5
    3.0
    1.1
    0.1
    pF
    dB
    dB
    W
    V
    CE
    = 15 V I
    C
    = 10毫安ř
    G
    = 50
    Ω
    F = 200 MHz的
    V
    CC
    = 15 V I
    C
    = 50毫安
    F = 50〜 216兆赫
    V
    CC
    = 15 V I
    C
    = 50毫安卢比= 50
    Ω
    F = 200 MHz的
    A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
    7525 ETHEL AVENUE
    •
    北好莱坞， CA 91605
    •
    (818) 982-1202
    •
    传真（ 818 ） 765-3004
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    REV 。一
    1/1

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