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    2N5070 参数 Datasheet PDF下载

    2N5070图片预览
    型号： 2N5070
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管射频
    文件页数/大小： 1 页 / 22 K
    品牌： ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
       
    2N5070
    NPN硅射频功率晶体管
    描述：
    该
    ASI 2N5070
    被设计用于高
    在动力线性放大器的应用
    2.0至75 MHz的范围内。
    封装类型TO- 60
    功能包括：
    •
    发射器碴
    •
    共射极包
    最大额定值
    I
    C
    V
    CE
    P
    DISS
    T
    英镑
    θ
    JC
    O
    3.3 A
    10 A
    （峰值）
    30 V
    70瓦@ T
    C
    = 25 C
    -65℃至+ 200C
    2.5 C / W
    O
    O
    O
    1 - 发射极
    3 - 集电极
    2 - 基
    CASE =辐射源
    特征
    符号
    BV
    首席执行官
    BV
    CER
    I
    首席执行官
    I
    CEV
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    C
    ob
    f
    t
    P
    in
    η
    IMD
    T
    C
    = 25 C
    O
    测试条件
    I
    C
    = 200毫安
    I
    C
    = 200毫安
    V
    CE
    = 30 V
    V
    CE
    = 60 V
    V
    CE
    = 60 V
    V
    CB
    = 60 V
    V
    EB
    = 4.0 V
    V
    CE
    = 5.0 V
    I
    C
    = 1.0 A
    I
    C
    = 3.0 A
    F = 1.0 MHz的
    I
    C
    = 1.0 A
    P
    OUT
    = 25 W
    （PEP）
    f
    2
    = 30.001兆赫
    F = 50MHz的
    ZG = 50
    Ω
    V
    BE
    = -1.5 V
    V
    BE
    = -1.5 V
    T
    C
    = 150 C
    O
    最小典型最大
    30
    40
    5.0
    10
    10
    10
    10
    10
    10
    100
    100
    85
    100
    1.25
    40
    -30
    单位
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    mA
    ---
    pF
    兆赫
    W
    %
    dB
    R
    BE
    = 5.0
    Ω
    V
    CB
    = 30 V
    V
    CE
    = 15 V
    V
    CE
    = 28 V
    f
    1
    = 30 MHz的
    A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
    7525 ETHEL AVENUE
    •
    北好莱坞， CA 91605
    •
    (818) 982-1200
    •
    传真（ 818 ） 765-3004
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    REV 。一
    1/1

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