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1N4386 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N4386
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内容描述: 硅乘数变容二极管 [SILICON MULTIPLIER VARACTOR DIODE]
分类和应用: 二极管变容二极管
文件页数/大小: 1 页 / 31 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
硅乘数变容二极管
封装形式DO- 4
描述:
1N4396
是一款高功率硅
乘数变容二极管。
最大额定值
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
200毫安
250 V
20瓦@ T
C
= 25 C
-65℃至+ 150℃
-65℃到+175 ç
5.0 C / W
O
O
O
O
1 =阳极
2 =阴极
特征
符号
V
BR
C
T
R
S
P
OUT(X3)
I
R
= 10
µA
V
R
= 6.0 V
V
R
= 6.0 V
P
IN
= 30 W
T
C
= 25 C
O
测试条件
F = 1.0 MHz的
F = 50MHz的
F
IN
= 150 MHz的
最低
250
20
典型
最大
50
单位
V
pF
W
0.7
15
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1202
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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