ASG330
DC -2500兆赫的SiGe HBT放大器
特点
·硅锗
技术
·11
dB的增益，在1950年兆赫
·+20
dBm的P1dB为
·+43
dBm的输出IP3
·3.8
dB的噪声系数
= MTTF
> 100年
■操作
在+5 V单电源
·SOT-89
表面贴装封装
描述
该ASG330是专为高线性度，高
增益，并在很宽的范围内的低噪声
频率，适合于在两个接收器使用
和
发射机
of
无线
和
有线
is
电信
系统。
该
产品
采用先进设备，最先进的硅锗HBT制造
公司自身的过程中，使之成本
有效和高度可靠的。该放大器
在一个低成本的SOT- 89可用
在完成严格的DC和RF测试。
包
封装形式： SOT- 89
特定网络阳离子
1)
参数
频带
收益
1)
1)
1)
应用
单位
兆赫
dB
-
-
DBM
41
18
dB
DBM
mA
V
分钟。
典型值。
250 - 2500
11
1.4
1.4
43
3.8
20
75
5
马克斯。
· CDMA，GSM， W-CDMA， PCS
无线宽带， WLAN
-PA
驱动放大器
ΔGAIN
块
· CATV
扩音器
●如果
扩音器
输入VSWR
输出IP3
2)
输出VSWR
噪声系数
输出P1dB为
1)
电源电流
电源电压
更多信息
网址： www.asb.co.kr
电子信箱： sales@asb.co.kr
电话： （ 82 ） 42-528-7220
传真： （ 82 ） 42-528-7222
ASB公司， 4F FI 。 VentureTown大厦，
367-17 Goijeong东，西区，
大田302-120 ，韩国
1）测定条件如下：T = 25℃ ，V
CC
= 5 V ，频率。 = 1950兆赫， 50欧姆系统。
2） OIP3是在+ 10dBm的/音调由1MHz的分离的输出功率测量两个音调。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
电源电压
工作结温
输入射频功率（连续）
1)
等级
-40〜
+
85°C
-40〜
+
150°C
8V
150°C
13 dBm的
备注
1/9
2007年11月
ASB [ ADVANCED SEMICONDUCTOR BUSINESS INC. ]
