特点
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符合RoHS
单片MOS技术
低成本
高压操作- 350V
低静态电流TYP. ， 2.2毫安
无二次击穿
高输出电流， 120毫安PEAK
提供裸片形式- CPA241
8引脚TO- 3
包装样式CE
24 -PIN PSOP
包装样式DF
10引脚SIP
包装样式DW
应用
压电定位
静电传感器&挠度
变形反射镜聚焦
生物化学刺激
计算机真空管接口
典型用途
参考文献：应用说明20 ：功率放大器ers" "Bridge模式操作
描述
该PA241是一种高电压单片MOSFET运算
扩增fi er使之达到性能特点之前
仅见于混合型设计，同时提高了可靠性。输入
免受过多的共模和差
模电压。安全工作区（SOA ）无二次
击穿的限制，并且可以与所有类型的负载可以观察到
通过选择适当的限流电阻。外
补偿为用户提供了灵活性的最佳选择
的增益和带宽的应用程序。
该PA241CE封装在一个密闭8针
TO-3封装。金属壳体的PA241CE的分离在
多余的全电压范围。
该PA241DF打包在一个24针PSOP （JEDEC MO-
166 ）封装。该PA241DF的金属散热片是孤立
超出全电压范围。
该PA241DW封装在顶点的密封陶瓷SIP
封装。氧化铝陶瓷隔离在过量的模
全电压。
低成本660V P-P
压电驱动
操作作为压电桥驱动两个PA241放大器器
换能器提供了一种低成本的660伏的总的驱动能力。
第r
N
C
N
网络服务，以提高A2的表观增益在
高的频率。若R
N
被设置为等于R中的放大器器可以是
补偿相同，并有配套的带宽。
外部连接
PA241CE
R
CL
C
C
C
C
1 3
出4
5
✱In
2 C
C
2
1 I
LIM
PA241DW
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
NC数控-V
S
+V
S
I
LIM
C
C
2 C
C
1 OUT
C
C
R
CL
-IN + IN
等效原理图
+V
S
顶视图
6
+ IN
8
7
–V
S
NC
NC
NC
NC
NC
+ IN
NC
NC
NC
NC
-Vs
-IN
+V
S
对于CC值，见图4页。
注： CC必须适用于整个供应
电压。
NC
NC
NC
OUT
NC
COMP
NC
COMP
NC
ILIM
NC
+ VS
C
C
R
CL
PA241DF
C
C
1
C
C
2
+ IN
-IN
I
LIM
OUT
1
24
-V
S
注： PA241CE推荐安装扭矩为4-7
•在磅（ 0.45 -.79牛顿•米）
注意：使用可压缩的，导热
绝缘体可能导致保修失效。
APEX微技术有限公司•电话：（ 520 ） 690-8600 •传真（ 520 ） 888-3329 •令（ 520 ） 690-8601 •电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
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