PA141 / PA142 • PA141A / PA142A
绝对最大额定值
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流，内部SOA不断
输出电流，峰值
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10秒
温度，结
2
温度，贮藏
的温度范围，供电（下）
绝对最大额定值
特定网络阳离子
PA141/PA141A
PA142/PA142A
350V
350V
60毫安
60毫安
120毫安
120毫安
12W
9W
±16 V
±16 V
±V
S
±V
S
300°C
220°C
150°C
150°C
-65到+ 150°C
-65到+ 150°C
-40至+ 125°C
-40至+ 125°C
PA141A/PA142A
民
典型值
最大
15
40/*
*
*
*
*
*
*
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
4, 7
失调电压，与电源
失调电压，随时间
偏置电流，初始
7
偏置电流与电源
偏置电流，初始
7
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模抑制， DC
噪声，宽带
噪音，低频率
收益
开环时以15Hz
的带宽，开环
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
电流，峰值
5
当前，连续
建立时间0.1 ％
压摆率
容性负载
阻力
6
，空载
阻力
6
20 mA负载
电源
电压
3
目前，静态
热
PA141性，交流结到管壳
PA142性，交流结到管壳
PA141电阻，直流结到管壳
PA142电阻，直流结到管壳
PA141电阻，结到空气
PA142电阻，结到空气
温度范围内的情况下
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
测试条件
1
PA141/PA142
民
典型值
最大
25
40
70
130
20
32
75
5/100 50/2000
.2/.5
.5/50
2.5/100 50/400
10
11
5
±V
S
–12
84
94
50
110
106
1.6
26
60
单位
mV
μV/°C
µV/V
μV KH
pA
PA / V
pA
pF
V
dB
μV RMS
μV P-P
dB
兆赫
千赫
°
V
mA
mA
µs
V / μs的
nF
整个温度范围
30
65/*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
V
CM
= ± 90V DC
10KHz的带宽，R
S
= 1K
1-10赫兹
R
L
= 5K
C
C
= 10pF的， 280V P-P
整个温度范围
I
O
= 40毫安
C
C
= 10pF的， 10V的步骤，
V
=
–
10
C
C
=打开
A
V
= +1
R
CL
= 0
R
CL
= 0
见注3
94
*
±V
S
–12 ±V
S
–10
120
60
12
40
10
150
25
±50
±150
1.6
5.4
7
9
12
30
55
–25
±175
2.0
6.5
10
10.4
14
+85
±V
S
–10 ±V
S
–8.5
*
*
*
*
*
*
*
*
.9
*
1.4
*
*
*
*
*
*
*
*
1.8
*
*
*
*
*
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
˚F > 60Hz的
˚F > 60Hz的
˚F < 60Hz的
˚F < 60Hz的
整个温度范围
整个温度范围
满足全方位的特定网络阳离子
的特定网络连接的阳离子为PA141A / PA142A是相同的特定网络连接的阳离子为PA141 / PA142中适用列于左边。
除非另有说明Ť
C
= 25°C, C
C
= 18pF之，R
C
= 2.2K 。直流输入特定网络阳离子±值给出。电源电压
是典型的投资评级。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗来
实现高平均无故障时间。如需指导，请参阅散热器数据表。
减额最大电源电压0.5 V / ℃，低于25 ℃的外壳温度。无降额需要上述牛逼
C
= 25°C.
样品由晶片到95 ％测试。
保证，但未经测试。
R的选定值
CL
必须被添加到给定的总输出电阻的值。
由/分开的特定网络阳离子表示分别在PA141和PA142值。
该PA141 / PA142是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
小心
2
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