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AOD403图片预览
型号: AOD403
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲PC
文件页数/大小: 4 页 / 153 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOD403
典型的电气和热特性
10
8
-V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
-Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
=-15V
I
D
=-20A
电容(pF)
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
OSS
C
国际空间站
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
1000
R
DS ( ON)
有限
100
1ms
100µs
10ms
10µs
功率(W)的
80
60
40
20
0
0.01
100
100
-I
D
(安培)
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10
0.1s
1s
1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10s
DC
1
-V
DS
(伏)
10
0.1
0.1
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
-12.8
-15
0.1
P
D
0.01
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
T
on
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
T
OUT此类APPLICATIONSSingle脉冲其产品。 AOS保留改进产品设计的权利,
或用途
0.001
性能和可靠性,恕不另行通知。
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
阿尔法&欧米茄半导体有限公司