AOB11N60L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOB11N60L
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内容描述：	600V ，11A N沟道MOSFET [600V,11A N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 450 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOB11N60

600V ，11A N沟道MOSFET

概述

该AOB11N60已经采用了先进的制造

被设计为提供高电压MOSFET工艺

在流行的AC-高水平的性能和健壮性

DC applications.By提供低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

随着雪崩能力保证此设备

可以迅速地采用到新的和现有的离线功率

电源设计。

产品概述

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=10V)

700V@150℃

11A

< 0.7Ω

100 ％ UIS测试

100% R

经过测试

对于无卤添加"L"后缀号码：

AOB11N60L

TO-263

PAK

AOB11N60

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

AOB11N60

600

±30

8.0

4.8

345

690

272

2.2

-55到150

300

AOB11N60

0.5

0.46

单位

V / ns的

单位

C / W

=25°

=100°

dv / dt的

, T

英镑

符号

θJA

θCS

θJC

重复性雪崩能量

单plused雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

=25°

功耗

减免上述25

结温和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

参数

最大结点到环境

A，D

最大外壳到散热器

最大结到外壳

冯0 ： 2012年1月

www.aosmd.com

第1页5

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