AOT1100L/AOB1100L
100V N沟道坚固的平面MOSFET
概述
该AOT1100L / AOB1100L采用了强大的技术，
的目的是提供有效和可靠的动力
转换，即使在最苛刻的应用，
包括电机控制。与低R
DS （ ON）
和优秀的
热能力这个设备适合于高
电流切换和可以忍受恶劣的工作
conditions.This器件理想用于升压转换器和
同步整流器的消费，电信，工业
电源和LED背光。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
100V
130A
< 12mΩ
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
TO220
顶视图
D
底部视图
D
顶视图
D
TO-263
D
2
PAK
底部视图
D
D
G
D
S
S
D
G
G
AOB1100
S
S
G
G
S
AOT1100
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
100
±20
130
92
208
8
6
122
744
500
250
2.1
1.3
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
12
48
0.22
最大
15
60
0.3
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
REV0 ： 2011年12月
www.aosmd.com
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AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
