AOT10N60/AOB10N60/AOTF10N60
600V ， 10A的N沟道MOSFET
概述
该AOT10N60 & AOB10N60 & AOTF10N60已
采用先进的高电压MOSFET制造
被设计为提供高层次的过程
在流行的AC- DC的性能和耐用性
applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
沿
雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源
设计。
对于无卤添加"L"后缀号码：
AOT10N60L & AOTF10N60L & AOB10N60L
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
700V@150℃
10A
< 0.75Ω
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
顶视图
TO-220
TO-220F
D
TO-263
2
ð PAK
D
G
G
D
S
G
AOTF10N60
D
S
G
AOB10N60
S
S
AOT10N60
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
AOT10N60/AOB10N60
符号
V
DS
漏源电压
600
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOTF10N60
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
C
T
C
=100°
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
250
2
10
7.2
±30
10*
7.2*
36
4.4
290
580
5
50
0.4
-55到150
300
AOT10N60/AOB10N60
65
0.5
0.5
AOTF10N60
65
--
2.5
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
重复性雪崩能量
单plused雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
Rev7 ： 2011年7月
www.aosmd.com
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AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
