AO9926B
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
BV
GSO
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅源击穿电压
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
= 0V时，我
G
=±250uA
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=7.6A
T
J
=125°C
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=6A
±12
0.5
30
18
25
21
27
38
24
0.7
23
30
26
34
52
1
3.5
630
164
137
1.5
8.8
1
3.7
5.5
14
29
10.2
15.2
6.3
0.8
1
民
20
1
5
100
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= 1.8V ，我
D
=2A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=7.6A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=7.6A
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=1.3Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 7.6A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 7.6A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。该currentand额定功率是基于
≤
吨10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1〜 6,12,14使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
版本1 ： 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
