AO9926EL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO9926EL
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内容描述：	双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 249 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO9926E

双N沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO9926E采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压低至1.8V 。这

装置适合于用作负载开关或以PWM

应用程序。这是ESD保护。

标准产品

AO9926E是无铅的（符合ROHS &索尼259

规范）。 AO9926EL是一种绿色产品

订购选项。 AO9926E和AO9926EL是

特点

(V) = 20V

= 8A （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 21mΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 25MΩ （V

= 2.5V)

DS （ ON）

< 33mΩ （V

= 1.8V)

ESD额定值： 2000V HBM

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

±8

6.4

1.28

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

62.5

110

单位

° C / W

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