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AO8846图片预览
型号: AO8846
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内容描述: 常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 206 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO8846
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
(伏)
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
= 10V
I
D
= 7A
1800
1600
1400
电容(pF)
1200
1000
800
600
400
200
0
0
5
10
15
20
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100
10µs
10
I
D
(安培)
100µs
10000
1000
功率(W)的
100
10
1
0.1
0.00001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
1
R
DS ( ON)
有限
1ms
10ms
100ms
10s
DC
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
0.01
I
F
= -6.5A ,的di / dt = 100A / μs的
10
100
V
DS
(伏)
0.001
0.1
10
1000
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值Junction-
到环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=120°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
P
D
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任ARISIN
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
T
on
0.01
性能和可靠性,恕不另行通知。
T
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注五)
100
1000
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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