AO8822_11 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8822_11
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内容描述：	20V共漏极双N沟道MOSFET [20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 202 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO8822

20V共漏极双N沟道MOSFET

概述

该AO8822采用先进的沟槽技术，提供

优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和操作门

电压可低至1.8V ，同时保留了12V V

GS （ MAX）

投资评级。这个装置是适合于用作单向

或双向负荷开关，通过它的共促进

漏配置。

产品概述

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

= 4.5V)

DS （ ON）

（在V

= 3.6V)

DS （ ON）

（在V

= 2.5V)

ESD保护

20V

< 18MΩ

< 22MΩ

< 23mΩ

< 27mΩ

顶视图

TSSOP8

底部视图

D1/D2

销1

D1/D2

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

符号

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

±12

1.5

-55到150

单位

=25°

=70°

=25°

=70°

, T

英镑

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A D

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

101

最大

130

单位

C / W

第6版： 2011年3月

www.aosmd.com

第1页5

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