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AO8818_08 参数 Datasheet PDF下载

AO8818_08图片预览
型号: AO8818_08
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内容描述: 常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 1648 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO8818
典型的电气和热特性
30
3.5V
10V
15
20
I
D
(A)
V
GS
=2.5V
I
D
(A)
V
GS
=2V
10
5
25°C
10
125°C
20
V
DS
=5V
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在-地区Characteristi
cs
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
40
1.6
V
GS
=4.5V
标准化导通电阻
V
GS
=2.5V
1.4
I
D
=5A
30
R
DS ( ON)
(mΩ)
20
V
GS
=2.5V
I
D
=4A
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
1.2
I
D
=7A
10
1.0
0
0
5
10
15
20
I
D(
A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
60
I
D
=7A
50
R
DS ( ON)
(mΩ)
40
I
S
(A)
30
20
10
0
2
4
6
8
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
125°C
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
1E-03
25°C
1E-04
1E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
25°C
125°C
阿尔法&欧米茄半导体有限公司