AO8814_10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8814_10
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内容描述：	常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 422 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO8814

典型的电气和热特性

10V

=2V

(A)

=5V

=1.5V

（伏）

图1 ：在-地区Characteristi

0.0

0.5

125°C

25°C

1.0

1.5

2.0

2.5

（伏）

图2 ：传输特性

标准化导通电阻

=1.8V

DS （ ON）

Ω

)

=3.6V

=2.5V

图3 ：导通电阻与漏电流和

栅极电压

1.6

=2.5V

1.4

=4.5V

=7A

1.2

=10V

1.0

=7.5A

=6A

=1.8V

=5A

=4.5V

=10V

0.8

100

125

150

175

温度（℃）

图4 ：导通电阻与结

温度

=7.5A

DS （ ON）

Ω

)

1E+01

1E+00

1E-01

125°C

(A)

1E-02

1E-03

25°C

（伏）

图5 ：导通电阻与栅源电压

1E-04

1E-05

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

（伏）

图6 ：体二极管的性能

25°C

125°C

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