AO8810L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8810L
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内容描述：	常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 115 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO8810

常见的漏双N沟道增强型场

场效应晶体管

概述

该AO8810采用先进的沟槽技术，提供

优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和操作门

电压低至1.8V 。此装置适合于用作

负荷开关或PWM应用。这是ESD保护。

AO8810L是无铅封装。

标准

产品AO8810是无铅的（符合ROHS &索尼259

规范）。 AO8810L是一个绿色产品订购

选项。 AO8810和AO8810L是电相同。

特点

(V) = 20V

= 7 A（V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 20MΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 24mΩ （V

= 2.5V)

DS （ ON）

< 32mΩ （V

= 1.8V)

ESD额定值： 2000V HBM

TSSOP-8

顶视图

D1/D2

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

±8

5.7

1.5

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

120

单位

° C / W

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