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    AO8810 参数 Datasheet PDF下载

    AO8810图片预览
    型号： AO8810
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 20V共漏极双N沟道MOSFET [20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 221 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO8810的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AO8810的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO8810的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO8810的Datasheet PDF文件第5页  
    AO8810
    典型的电气和热特性
    30
    25
    20
    I
    D
    (A)
    15
    10
    5
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    V
    DS
    （伏）
    图1 ：在区域特性（注五）
    24
    22
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    Ω
    20
    V
    GS
    =2.5V
    18
    16
    V
    GS
    =4.5V
    14
    12
    0
    6
    8
    10
    I
    D
    (A)
    图3 ：导通电阻与漏电流和门
    电压（注五）
    2
    4
    V
    GS
    =4.0V
    V
    GS
    =3.1V
    V
    GS
    =1.8V
    归一化的导通电阻
    1.6
    V
    GS
    =4.5V
    I
    D
    =7A
    1.4
    V
    GS
    =4.0V
    I
    D
    =7A
    V
    GS
    =3.1V
    I
    D
    =6.5A
    V
    GS
    =1.5V
    2.5V
    3.1V
    4.5V
    15
    I
    D
    (A)
    1.8V
    25
    V
    DS
    =5V
    20
    10
    125°C
    25°C
    5
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    V
    GS
    （伏）
    图2 ：传输特性（注五）
    1.2
    17
    V
    GS
    =2.5V
    I
    D
    =6.5A
    5
    V
    GS
    =1.8V
    I
    D
    =5A
    1
    2
    10
    0.8
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    0
    温度（ δ
    C)
    图4 ：导通电阻与结温
    18
    （注五）
    40
    I
    D
    =7A
    1.0E+01
    1.0E+00
    40
    30
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    Ω
    I
    S
    (A)
    125°C
    20
    1.0E-01
    1.0E-02
    1.0E-03
    1.0E-04
    25°C
    10
    0
    4
    6
    8
    V
    GS
    （伏）
    图5 ：导通电阻与栅源电压
    （注五）
    2
    1.0E-05
    0.0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    V
    SD
    （伏）
    图6 ：体二极管的特性（注五）
    125°C
    25°C
    启8 ： 2012年10月
    www.aosmd.com
    第3 5

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