AO8810_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8810_12
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内容描述：	20V共漏极双N沟道MOSFET [20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 221 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO8810

20V共漏极双N沟道MOSFET

概述

该AO8810采用先进的沟槽技术，提供

优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷。这是ESD保护。

此装置适合于用作单向或双向

定向负荷开关，其共漏极便利

配置。

产品概述

（在V

=4.5V)

DS （ ON）

（在V

= 4.5V)

DS （ ON）

（在V

= 4.0V)

DS （ ON）

（在V

= 3.1V)

DS （ ON）

（在V

= 2.5V)

DS （ ON）

（在V

= 1.8V)

ESD保护

20V

＆ LT ; 20MΩ

< 20.5mΩ

< 21.5mΩ

< 23mΩ

< 28mΩ

TSSOP8

顶视图

底部视图

D1/D2

销1

TSSOP-8

顶视图

D1/D2

1.8KΩ

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

±8

5.7

1.5

1.0

-55到150

单位

=25°

=70°

=25°

=70°

, T

英镑

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A D

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

120

单位

C / W

启8 ： 2012年10月

www.aosmd.com

第1页5

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