AO8808L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8808L
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内容描述：	双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 110 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO8808

双N沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO8808采用先进的沟槽技术，提供

优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和操作门

电压可低至1.8V ，同时保留了12V V

GS （ MAX）

投资评级。

此装置适合于用作单向或双向

定向负荷开关，其共漏极便利

配置。

标准产品AO8808是Pb-free （符合

ROHS &索尼259规格）。 AO8808L是绿色

产品订购选项。 AO8808和AO8808L是电

相同的。

特点

(V) = 20V

= 8A （V

= 10V)

DS （ ON）

< 14mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 15MΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 20MΩ （V

= 2.5V)

DS （ ON）

< 28mΩ （V

= 1.8V)

TSSOP-8

顶视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

±12

6.3

1.4

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

125

单位

° C / W

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