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AO8804 参数 Datasheet PDF下载

AO8804图片预览
型号: AO8804
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内容描述: 常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 229 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO8804
典型的电气和热特性
40
35
30
25
I
D
(A)
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
30
25
R
DS ( ON)
(m
)
20
V
GS
=2.5V
15
V
GS
=4.5V
10
V
GS
=10V
5
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
40
35
30
R
DS ( ON)
(m
)
25
I
S
(A)
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
125°C
I
D
=5A
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E+01
1.0E+00
归一化的导通电阻
V
GS
=1.8V
1.6
I
D
=5A
1.4
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=1.5V
5
0
0
0.5
25°C
1
1.5
2
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
2.5
I
D
(A)
20
15
10
125°C
10
2.5V
4.5V
30
2V
25
V
DS
=5V
V
GS
=10V
1.2
V
GS
=1.8V
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
125°C
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