AO8801A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8801A
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	20V P沟道MOSFET [20V P-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 355 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO8801A

20V P沟道MOSFET

概述

该AO8801A采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和操作

与栅极电压可低至1.8V 。此装置适用于

用作负载开关或PWM应用。

产品概述

（在V

=-10V)

DS （ ON）

（在V

= -4.5V)

DS （ ON）

（在V

= -2.5V)

DS （ ON）

（在V

= -1.8V)

-20V

-4.5A

< 42mΩ

< 54mΩ

< 68mΩ

ESD保护

顶视图

TSSOP8

底部视图

顶视图

销1

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

-20

±8

-4.5

-3.6

-30

1.5

0.96

-55到150

单位

=25°

=70°

=25°

=70°

, T

英镑

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A D

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

101

最大

130

单位

C / W

版本1 ： 2011年9月

www.aosmd.com

第1页5

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案