AO8403L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8403L
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 108 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO8403

P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO8403采用先进的沟槽技术，提供

优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和操作门

电压低至1.8V 。这个装置是适合于用作

负载开关或PWM应用。这是ESD

受保护的。

标准产品AO8403是Pb-free （符合

ROHS &索尼259规格）。 AO8403L是绿色

产品订购选项。 AO8403和AO8403L是

电相同。

特点

(V) = -20V

= -4 A （V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 42mΩ （V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 52mΩ （V

= -2.5V)

DS （ ON）

< 70mΩ （V

= -1.8V)

ESD额定值： 3000V HBM

TSSOP-8

顶视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

-20

±8

-4

-3.5

-30

1.5

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

120

单位

° C / W

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