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AO7413 参数 Datasheet PDF下载

AO7413图片预览
型号: AO7413
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 112 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO7413
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO7413采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作门
电压可低至1.8V ,在小SOT323足迹。它
可用于各种各样的应用,包括负载
切换,低电流的逆变器和低电流的DC-DC
转换器。这是ESD保护2KV HBM 。标准
产品AO7413是无铅的(符合ROHS &索尼259
规范)。 AO7413L是一个绿色产品订购
选项。 AO7413和AO7413L是电相同。
特点
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -1.4A (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 113mΩ (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 135mΩ (V
GS
= -4.5V)
R
DS ( ON)
< 180mΩ (V
GS
= -2.5V)
SC-70
(SOT-323)
顶视图
G
D
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-20
±12
-1.4
-1.2
-3
0.35
0.22
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
300
350
280
最大
360
425
320
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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