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AO7411L 参数 Datasheet PDF下载

AO7411L图片预览
型号: AO7411L
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 108 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO7411
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-1.8A
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-1.6A
4
-0.4
-10
-0.55
95
129
121
155
7
-0.83
-20
-1
-5
±100
-0.8
120
160
150
200
-1
-0.6
524
93
73
12
6.24
0.52
1.84
10.5
11.8
54.5
24.7
24.7
8.2
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态漏源导通电阻
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= -1.8V ,我
D
=-1.0A
正向跨导
V
DS
= -5V ,我
D
=-1.8A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D(上)
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= -10V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-10V,
I
D
=-1.8A
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,R
L
=5.6Ω,
R
=3Ω
I
F
= -1.8A ,的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -1.8A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻
投资评级。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1〜 6,12,14使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
REV3 : 2005年8月
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