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AO7414_13 参数 Datasheet PDF下载

AO7414_13图片预览
型号: AO7414_13
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内容描述: 20V N沟道MOSFET [20V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 1719 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO7414
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS ,
I
D
=250µA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ,我
D
=2A
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
T
J
=125°
C
V
GS
= 2.5V ,我
D
=1.8A
V
GS
= 1.8V ,我
D
=1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ,我
D
=2A
I
S
=1A,V
GS
=0V
0.5
25
50
70
56
66
15
0.7
1
0.35
260
V
GS
=0V, V
DS
= 10V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
48
27
3
2.9
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ,我
D
=2A
0.4
0.6
2.5
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ,R
L
=5Ω,
R
=6Ω
3.2
20
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
0.68
1
62
90
70
85
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
320
4.5
3.8
nC
nC
nC
ns
ns
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
21
3
14
3.4
19
ns
ns
ns
nC
I
F
= 2A ,的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷我
F
= 2A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
Rev.2.0 : 2013年4月
www.aosmd.com
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