AO6810_11 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO6810_11
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内容描述：	30V双N沟道MOSFET [30V Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 523 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO6810

30V双N沟道MOSFET

概述

该AO6810采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。这

装置适合于用作负载开关或以PWM

应用程序。

产品概述

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

= 4.5V)

30V

3.5A

< 50mΩ以下

< 70mΩ

TSOP6

顶视图

Pin1

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

符号

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

±20

3.5

1.15

0.73

-55到150

单位

=25°

=70°

=25°

=70°

, T

英镑

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A D

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

106

最大

110

150

单位

C / W

版本1 ： 2011年3月

www.aosmd.com

第1页5

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