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型号: AO6808
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 141 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO6808
典型的电气和热特性
60
4.5V
50
2.5V
40
I
D
(A)
I
D
(A)
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
26
归一化的导通电阻
25
24
R
DS ( ON)
(m
)
23
22
21
20
19
0
4
8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 3.1V
V
GS
= 2.5V
1.6
V
GS
= 4.5V
I
D
= 6A
V
GS
=1.5V
10
125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
25°C
20
30
3V
40
V
DS
= 5V
2V
1.4
1.2
1.0
I
F
=-6.5A,
16
dI/dt=100A/µs
12
20
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
1E+02
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
55
I
D
= 6.0A
45
R
DS ( ON)
(m
)
I
S
(A)
1E+01
1E+00
1E-01
125°C
35
1E-02
25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
1E-03
生命支持DEVICES125 ° C元件
或系统的未经授权。 AOS不承担任何责任
1E-04
25
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
1E-05
性能和可靠性,恕不另行通知。
25°C
1E-06
15
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
(伏)
V
GS
(伏)
图6 :体二极管的性能
图5 :导通电阻与栅源电压
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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