AO6806 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO6806
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内容描述：	双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 209 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO6806

双N沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO6806采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压低至2.5V 。该装置

是适合用作负载开关或以PWM

应用程序。

AO6806是Pb-free （符合ROHS &索尼

259规格）。

特点

= 20V

= 5.0A

= 4.5V)

DS （ ON）

< 33mΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 34mΩ （V

= 4.0V)

DS （ ON）

< 36mΩ （V

= 3.1V)

DS （ ON）

< 40MΩ （V

= 2.5V)

TSOP6

顶视图

D1/D2

1 6

2 5

3 4

D1/D2

2.7KΩ

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

符号

10秒

稳定状态

参数

漏源电压

栅源电压

±12

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

3.8

1.3

0.8

-55到150

0.8

0.5

3.8

单位

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳定状态

θJA

θJL

典型值

118

最大

150

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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