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型号: AO6804A
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内容描述: 20V双N沟道MOSFET [20V Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 204 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO6804A
20V双N沟道MOSFET
概述
该AO6804A采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作
与栅极电压低至2.5V 。该装置是
适合用作一个负载开关的应用程序。
产品概述
V
DS
= 20V
I
D
= 5.0A
R
DS ( ON)
< 28米
R
DS ( ON)
< 30米
R
DS ( ON)
< 34米
R
DS ( ON)
< 39米
(V
GS
= 4.5V)
(V
GS
= 4.5V)
(V
GS
= 4.0V)
(V
GS
= 3.1V)
(V
GS
= 2.5V)
TSOP6
顶视图
底部视图
顶视图
D1
11
G1
D1/D2
G2
S1
G1
Rg
G2
Rg
D2
11
S1
D1/D2
S2
Pin1
1
2
3
6
5
4
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
符号
参数
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
功耗
A
最大
20
±12
5
4
25
1.3
0.8
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳定状态
稳定状态
R
θJA
R
θJL
典型值
76
118
54
最大
95
150
68
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com