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型号: AO6802
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 114 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO6802
N沟道电气特性(T = 25 ° C除非另有说明)
J
15
12
9
I
D
(A)
6
3
V
GS
=3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
120
归一化的导通电阻
110
100
R
DS ( ON)
(m
)
90
80
70
60
50
40
0
2
4
6
8
10
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
250
I
D
=3.1A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
R
DS ( ON)
(m
)
125°C
100
I
S
(A)
150
1.0E-02
25°C
1.0E-03
25°C
1.0E-04
1.0E-05
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
V
GS
=4.5V
I
D
=2A
V
GS
=10V
I
D
=3.1A
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
10
10V
8V
6V
4.5V
4V
3.5V
6
I
D
(A)
5V
8
V
DS
=5V
4
2
125°C
25°C
200
125°C
50
0
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
亚尔发和奥米加半导体有限公司