AO6706 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO6706
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 107 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO6706

典型的电气和热特性

10V

3.5V

(A)

=5V

=2.5V

125°C

25°C

（伏）

图1 ：在区域特征

0.5

1.5

2.5

（伏）

图2 ：传输特性

3.5

200

175

归一化的导通电阻

150

DS （ ON）

Ω

)

125

100

=10V

=4.5V

1.8

1.6

1.4

=4.5V

=3.0A

270

=2.5V

1.7

3.6

=3.3A

V =10V

1.2

0.8

100

=2.5V

=1A

125

150

175

温度（℃）

图4 ：导通电阻与结温

(A)

图3 ：导通电阻与漏电流和

栅极电压

100

=3.3A

DS （ ON）

Ω

)

（伏）

图5 ：导通电阻与栅源电压

25°C

125°C

1.0E+01

1.0E+00

1.0E-01

(A)

1.0E-02

1.0E-03

1.0E-04

1.0E-05

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

（伏）

图6 ：体二极管的性能

125°C

25°C

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