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AO6700 参数 Datasheet PDF下载

AO6700图片预览
型号: AO6700
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内容描述: N沟道增强型场效应晶体管,肖特基二极管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode]
分类和应用: 晶体肖特基二极管晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 110 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO6700
MOSFET的典型电气和热性能
5
V
DS
=4.5V
4
V
GS
(伏
s)
3
2
1
0
0
1
2
3
4
QG ( NC )
图7 :栅极电荷特性
800
I
D
=4.1A
电容(pF
)
700
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
100
R
DS ( ON)
有限
功率(W)的
100
10
I
D
(A)
0.1s
1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全工作
区(注五)
1s
10s
DC
1ms
10ms
100µs
10µs
12
10
8
6
4
2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
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