AO6601L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO6601L
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内容描述：	互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 206 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO6601

N沟道典型特征

典型的电气和热特性

(A)

2.5V

（伏）

图1 ：在区域特征

150

归一化的导通电阻

125

=2.5V

DS （ ON）

Ω

)

100

=10V

0.8

100

125

150

175

温度（℃）

图4 ：导通电阻与结温

(A)

图3 ：导通电阻与漏电流和门

电压

=4.5V

1.8

(A)

10V

4.5V

=5V

25°C

125°C

=2V

0.5

1.5

2.5

3.5

（伏）

图2 ：传输特性

1.6

=4.5V

=10V

1.4

1.2

=2.5V

200

1.0E+01

1.0E+00

150

DS （ ON）

Ω

)

=2A

1.0E-01

(A)

125°C

1.0E-02

1.0E-03

100

125°C

25°C

1.0E-04

25°C

（伏）

图5 ：导通电阻与栅源电压

1.0E-05

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

（伏）

图6 ：体二极管的性能

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