AO6604 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO6604
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	20V互补MOSFET [20V Complementary MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 773 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO6604

20V互补MOSFET

概述

该AO6604结合了先进的沟槽MOSFET

技术具有低电阻包提供

非常低R

DS （ ON）

。该器件非常适用于负荷开关

和电池保护的应用程序。

产品概述

N沟道

= 20V

= 3.4A （V

=4.5V)

DS （ ON）

< 65米

< 75米

<百米

=4.5V)

=2.5V)

=1.8V)

P沟道

-20V

-2.5A （V

=-4.5V)

DS （ ON）

< 75米

< 95米

< 115米

=-4.5V)

=-2.5V)

=-1.8V)

TSOP6

顶视图

底部视图

顶视图

Pin1

N沟道

P沟道

单位

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

最大的n沟道

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大的p沟道

-20

±8

-2.5

-2

-13

1.1

0.7

=25°

=70°

=25°

=70°

, T

英镑

±8

3.4

2.5

1.1

0.7

-55到150

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A D

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

106

最大

110

150

单位

C / W

启4 ： 2010年9月

www.aosmd.com

第1页9

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案