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AO6422L 参数 Datasheet PDF下载

AO6422L图片预览
型号: AO6422L
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 204 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO6422
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
(伏)
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
= 10V
I
D
= 5A
电容(pF)
600
C
国际空间站
400
800
200
C
RSS
0
C
OSS
0
5
10
15
20
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
100
R
DS ( ON)
有限
10µs
1000
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10
1
1ms
10ms
100ms
10s
DC
功率(W)的
I
D
(安培)
100µs
100
10
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
0.01
I
F
= -6.5A ,的di / dt = 100A / μs的
10
100
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值Junction-
到环境(注E)
1
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注五)
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