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AO6420图片预览
型号: AO6420
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 127 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO6420
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO6420采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO6420是Pb-free
(符合ROHS &索尼259规格) 。
特点
V
DS
(V) = 60V
I
D
= 4.2A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
<的60mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 75mΩ (V
GS
= 4.5V)
RG ,西塞,科斯,的Crss测试!
TSOP-6
顶视图
D
D
D
G
1 6
2 5
3 4
D
D
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A,F
漏电流脉冲
功耗
B
最大
60
±20
4.2
3.4
20
2.00
1.28
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
35
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com