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AO6402B 参数 Datasheet PDF下载

AO6402B图片预览
型号: AO6402B
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内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 273 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO6402
30V N沟道MOSFET
概述
该AO6402采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。此设备
用作负载开关或PWM应用。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=4.5V)
30V
5A
< 31mΩ
< 43mΩ
TSOP6
顶视图
底部视图
D
顶视图
D
D
G
Pin1
D
D
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大
30
±20
5
4
20
1.25
0.8
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
82
110
56
最大
100
130
70
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
启8 : 2011年2月
www.aosmd.com
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