AO6401_11 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO6401_11
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内容描述：	30V P沟道MOSFET [30V P-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 522 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO6401

30V P沟道MOSFET

概述

该AO6401采用先进的沟槽技术，提供

优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和操作门

电压低至2.5V 。这个装置是适合于用作

负载开关或PWM应用。

产品概述

（在V

=-10V)

DS （ ON）

（在V

=-10V)

DS （ ON）

（在V

=-4.5V)

DS （ ON）

（在V

=-2.5V)

-30V

-5A

< 47mΩ

< 64mΩ

< 85mΩ

TSOP6

顶视图

底部视图

顶视图

Pin1

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

-30

±12

-5

-4

-28

1.3

-55到150

单位

=25°

=70°

=25°

=70°

, T

英镑

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A D

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

47.5

最大

62.5

110

单位

C / W

第七版： 2011年3月

www.aosmd.com

第1页5

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