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AO5803E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AO5803E
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内容描述: 双P沟道增强型场效应晶体管 [Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 117 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO5803E
典型的电气和热特性
5
V
DS
=-10V
I
D
=-0.6A
电容(pF)
100
C
国际空间站
80
4
-V
GS
(伏)
3
60
2
40
C
OSS
20
C
RSS
1
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
-Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
10.00
T
J(下最大)
= 150℃ ,T
A
=25°C
10µs
1.00
-I
D
(安培)
1ms
10ms
0.1s
0.10
R
DS ( ON)
有限
1s
10s
0.01
DC
100µs
功率(W)的
14
12
10
8
6
4
2
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.00
0.1
1
-V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=330°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
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