AO5800 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO5800
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内容描述：	双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 133 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO5800

双N沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO5800采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅电压低至4.5V时，在

小SC89-6L足迹。它可用于宽

各种应用，包括负载开关，低

电流变换器和低电流的DC- DC转换器。

这是ESD保护。

标准产品AO5800是有铅

免费（符合ROHS &索尼259规格）。

特点

(V) = 60V

= 0.4A （V

= 10V)

DS （ ON）

< 1.6Ω （V

= 10V)

DS （ ON）

< 1.9Ω （V

= 4.5V)

SC-89-6

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

A，F

漏电流脉冲

功耗

最大

±20

0.4

0.3

1.6

0.4

0.24

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

275

360

300

最大

330

450

350

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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