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AO5600EL 参数 Datasheet PDF下载

AO5600EL图片预览
型号: AO5600EL
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 944 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO5600E
P沟道的典型电气和热性能
5
-6V
4
-3.5V
-I
D
(A)
-4.5V
-4V
2
-10V
3
V
DS
=-5V
25°C
-I
D
(A)
3
2
-3V
-2.5V
125°C
1
1
V
GS
=-2.0V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
1.4
1.2
R
DS ( ON)
(
)
V
GS
=-1.8V
1
0.8
0.6
0.4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
归一化的导通电阻
1.6
0
0
1
2
3
4
5
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性
1.4
V
GS
=-1.8V
1.2
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V
1
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
1.3
I
D
=-0.5A
1.1
125°C
-I
S
(A)
1.0E+00
1.0E-01
125°C
1.0E-02
25°C
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0
2
4
6
8
10
0.0
0.4
0.8
1.2
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
R
DS ( ON)
(
)
0.9
0.7
25°C
0.5
0.3
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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