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AO5401E 参数 Datasheet PDF下载

AO5401E图片预览
型号: AO5401E
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 153 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO5401E
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=10V, V
GS
=±4.5V
V
DS
=10V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-0.5A
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-0.5A
V
GS
= -1.8V ,我
D
=-0.3A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ,我
D
=-0.5A
I
S
=-0.1A,V
GS
=0V
-0.4
-1
0.53
0.75
0.72
0.95
0.9
-0.66
-1
-0.5
72
V
GS
=0V, V
DS
= -10V , F = 1MHz的
17
9
60.5
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,R
L
=50Ω,
R
=3Ω
I
F
= -0.5A ,的di / dt = 100A / μs的
150
612
436
27
8.3
35
100
0.8
0.95
1
1.3
-0.5
-20
1
5
±1
±10
-0.9
典型值
最大
单位
V
µΑ
µA
µA
V
A
S
V
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
nC
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输出电容
反向传输电容
切换参数
t
D(上)
开启DelayTime
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -0.5A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨≤ 10秒热电阻
投资评级。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1〜 6,12,14使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
启4 : 2008年10月
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
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