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    AO4F800 参数 Datasheet PDF下载

    AO4F800图片预览
    型号： AO4F800
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非对称双N沟道增强型场效应晶体管 [Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 141 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4F800的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4F800的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4F800的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4F800的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4F800的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4F800的Datasheet PDF文件第7页  
    AO4F800
    非对称双N沟道增强型场效应
    晶体管
    概述
    该AO4F800采用先进的沟槽技术
    提供了优秀的研发
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。该
    两个MOSFET进行紧凑和高效的开关
    和同步整流器组合中使用的直流
    DC转换器。
    标准产品AOF800是Pb-free
    （符合ROHS &索尼259规格） 。 AOF800L
    是一种绿色产品订购选项。 AOF800和
    AOF800L是电相同。
    特点
    Q1
    Q2
    V
    DS
    (V) = 30V
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    = 8.3A （V
    GS
    = 10V ）I
    D
    =17.7A
    R
    DS （ ON）
    < 18MΩ
    < 6.5mΩ
    (V
    GS
    = 10V)
    < 8.5mΩ
    (V
    GS
    = 4.5V)
    R
    DS （ ON）
    < 27mΩ
    D1
    D1
    G1
    G2
    S2
    S2
    S2
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    14
    13
    12
    11
    10
    9
    8
    S1
    S1
    D2/S1
    D2/S1
    D2/S1
    D2/S1
    D2/S1
    D1
    D2
    SOIC-14
    Q1
    Q2
    G1
    S1
    G2
    S2
    绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
    A
    符号
    参数
    V
    DS
    漏源电压
    V
    GS
    栅源电压
    连续漏极
    T
    A
    =25°C
    A
    当前
    I
    D
    T
    A
    =70°C
    漏电流脉冲
    B
    最大Q1
    30
    ±20
    8.3
    6.7
    30
    2
    1.28
    -55到150
    典型值
    47
    83
    23
    典型值
    31
    59
    16
    最大Q2
    30
    ±20
    17.7
    13
    80
    3
    2.1
    -55到150
    最大
    62.5
    110
    40
    最大
    40
    75
    24
    单位
    V
    V
    A
    I
    DM
    T
    A
    =25°C
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    符号
    R
    θJA
    R
    θJL
    符号
    R
    θJA
    R
    θJL
    T
    A
    =70°C
    功耗
    结温和存储温度范围
    参数：热特性MOSFET Q1
    t
    ≤
    10s
    最大结点到环境
    A
    A
    稳态
    最大结点到环境
    C
    稳态
    最大结对铅
    参数：热特性MOSFET Q2
    t
    ≤
    10s
    最大结点到环境
    A
    最大结点到环境
    A
    C
    最大结对铅
    稳态
    稳态
    W
    °C
    单位
    ° C / W
    单位
    ° C / W
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