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AO4938图片预览
型号: AO4938
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内容描述: 30V双N沟道MOSFET [30V Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 621 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4938
30V双N沟道MOSFET
SRFET
概述
该AO4938采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。两个MOSFET
使一个紧凑和高效的开关和同步
整流器组合的DC- DC转换器的使用。一
与并行单片集成肖特基二极管
同步MOSFET ,以进一步提高效率。
TM
产品概述
FET1(N-Channel)
V
DS
= 30V
I
D
= 8.8A (V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
< 16米
< 22米
(V
GS
=10V)
(V
GS
=4.5V)
FET2(N-Channel)
30V
8A (V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
< 19米
< 28米
(V
GS
=10V)
(V
GS
=4.5V)
100 % UIS测试
100% R
g
经过测试
ESD保护
100 % UIS测试
100% R
g
经过测试
SOIC-8
顶视图
底部视图
顶视图
D2
D2
G1
S1
G2
S2/D1
S2/D1
S2/D1
SRFET
TM
软恢复
MOSFET :
集成肖特基二极管
D1
D2
G2
G1
S1
S2
Pin1
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
最大FET1
漏源电压
V
DS
30
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
最大FET2
30
±20
8
6.5
40
13
25
2
1.3
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
C
±20
8.8
7.1
60
21
66
2
1.3
-55到150
I
D
I
DM
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
雪崩能量L = 0.3mH
功耗
B
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
最大
62.5
90
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
启3 : 2011年3月
www.aosmd.com
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