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型号: AO4930
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内容描述: 非对称双N沟道增强型场效应晶体管 [Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 180 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4930
FET1电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=7A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=9.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管+肖特基连续电流
条件
ID = 250μA , VGS = 0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=9.5A
T
J
=125°C
1.5
40
11.2
16.8
13.2
78
0.38
0.5
5
1980
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
317
111
1.3
33
VGS = 10V , VDS = 15V , ID = 9.5A
15.0
5.3
6.0
5.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=1.6Ω,
R
=3Ω
I
F
= 9.5A ,的di / dt = 300A / μs的
I
F
= 9.5A ,的di / dt = 300A / μs的
5.5
27.0
4.3
11
7
13
2.0
43
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
2376
13.5
21
16
1.8
30
0.01
6
0.1
20
0.1
2.4
典型值
最大
单位
V
mA
µA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答: R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
= 25°C 。功耗P
帝斯曼
和电流额定值我
帝斯曼
基于T
J(下最大)
= 150 ° C,采用t
10秒结到环境的热阻。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=150°C.
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T = 25 ℃。国家海洋局
A
曲线提供了单个脉冲的评价。
REV0 : 2006年9月
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