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型号: AO4928
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内容描述: 非对称双N沟道增强型场效应晶体管 [Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 156 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4928
FET1典型的电和热性能
1.0E-01
1.0E-02
VDS=24V
1.0E-03
I
R
(A)
V
SD
(V)
VDS=12V
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
100
150
200
温度(℃)
图12 :二极管
参数
反向漏电流与
结温
12
di/dt=800A/us
125ºC
10
8
TRR ( NS )
IRM ( A)
25ºC
QRR
IRM
5
0
0
5
10
15
20
25
30
125ºC
25ºC
6
4
2
0
12
10
8
TRR
6
4
2
0
0
5
10
15
S
25ºC
20
25
30
25ºC
di/dt=800A/us
125ºC
0
50
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
100
150
200
温度(℃)
图13 :二极管的正向电压与结
温度
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
50
I
S
=1A
10A
5A
20A
动态
30
25
20
Q
rr
( NC )
15
10
125ºC
是( A)
图14 :二极管的反向恢复电荷和
峰值电流与传导电流
25
20
15
10
5
0
0
QRR
IRM
200
400
600
800
10
8
125ºC
TRR ( NS )
25ºC
125º
IRM ( A)
6
4
2
0
1000
15
是( A)
图15 :二极管的反向恢复时间和软
系数与传导电流
2.5
125ºC
Is=20A
2
25ºC
1.5
TRR
25ºC
125ºC
1
0.5
0
1000
S
Is=20A
12
9
6
3
0
0
200
400
600
800
Q
rr
( NC )
25ºC
S
的di / dt ( A)
图16 :二极管的反向恢复电荷和
峰值电流和di / dt的
的di / dt ( A)
图17 :二极管的反向恢复时间和软
系数主场迎战di / dt的
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